[뉴스핌=조아영 기자] 삼성전자가 3차원 수직구조 낸드(3D V낸드) 수요 증가에 대응하고자 중국 시안 반도체 공장에 2라인을 건설한다.

삼성전자는 28일 오전 중국 산시성 시안시에서 '삼성 중국 반도체 메모리 제2라인 기공식'을 열었다고 밝혔다.

기공식에는 김기남 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 사장과 먀오웨이 공신부 부장, 류궈중 산시성 성장, 노영민 주중 한국대사, 이강국 주시안 총영사 등이 참석했다.

김기남 사장은 기념사에서 "시안 2기 라인의 성공적인 운영으로 최고의 메모리 반도체 제품 생산과 함께, 차별화된 솔루션을 고객에게 제공하여 글로벌 IT 시장 성장에 지속 기여하겠다"고 말했다.

삼성전자는 지난해 8월 시안 반도체 공장 2기 라인 투자를 위해 산시성 정부와 업무협약 양해각서(MOU)를 체결했으며 향후 3년간 총 70억달러를 투자하기로 했다.

삼성전자는 시안 반도체 공장 2라인을 구축으로 낸드플래시를 필요로 하는 글로벌 시장 요구에 적극 대응해나갈 계획이다.

또, 중국 시장에서 제조 경쟁력을 더욱 강화한다. 중국 시장은 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일, IT 업체들의 생산기지가 모여있다.

한편, 삼성전자 시안 반도체 사업장은 2012년 1기 기공식을 시작으로 2013년 전자연구소 설립, 2014년 1세대 V낸드 양산 및 2015년 후공정 라인 완공, 올해 2기 증설까지 꾸준한 투자를 추진해 나가고 있다.
 

[뉴스핌 Newspim] 조아영 기자 (likey0@newspim.com)