[서울=뉴스핌] 황유미 기자 = 삼성전자는 17일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이'에서 기존보다 용량이 2배 늘어나고 소비 전력 효율은 30% 개선된 서버용 D램 모듈을 공개했다. 

삼성전자는 미국 실리콘밸리에 위치한 삼성전자 미주법인(DSA) 사옥에서 '삼성 테크 데이 2018'(Samsung Tech Day 2018)을 개최하고 차세대 반도체 솔루션을 소개했다고 17일 밝혔다.

지난해에 이어 두 번째로 열린 이번 행사는 'Samsung ＠ The Heart of Everything'라는 주제로 진행됐다. 최주선 삼성전자 미주 지역총괄 부사장과 장성진 메모리 D램 개발실 부사장, 글로벌 IT 업계 주요 인사 등 500여명이 참석했다.

삼성전자 메모리 사업부는 이날 세계 최초로 '256GB 3DS RDIMM'을 공개했다. 256GB 3DS RDIMM은 차세대 초고성능·초고용량 플랫폼 개발에 최적화된 D램 솔루션이다.

삼성전자가 지난해 양산을 시작한 기존 10나노급 16GB DDR4 D램을 탑재, 기존 '128GB RDIMM' 대비 용량 2배로 확대했다. 소비전력효율은 30% 개선됐다.

기업용 7.68TB(테라바이트) 4비트(QLC) 서버 SSD, 6세대 V낸드 기술, 2세대 Z-SSD 등도 소개했다.

파운드리 사업부는 초미세 공정 장비인 EUV(Extreme Ultra Violet, 극자외선) 노광 기술을 적용한 파운드리 7nm(나노미터) 공정(7LPP)을 완료하고 생산에 착수했다고 밝혔다.

반도체는 생산공정이 미세해질수록 똑같은 크기의 웨이퍼에서 더 많은 반도체를 생산할 수 있다. 7nm 공정기술의 경우 10nm 대비 면적을 40% 축소할 수 있고 20%의 성능향상과 동일성능에서 50% 향상된 전력효율을 제공한다.

최주선 부사장은 이날 개회사에서 "빅데이터 분석과 인공지능(AI) 기술이 본격 확산되면서 차세대 IT 시장도 혁신적으로 변화하고 있다"며 "글로벌 IT 시장을 선도하는 고객들에게 반도체 기술 발전의 가능성과 차세대 제품을 공개하게 돼 매우 기쁘다"고 말했

hume@newspim.com