[서울=뉴스핌] 양태훈 기자 = SK하이닉스가 하반기 메모리 반도체 시장의 수요변화에 적극 대응하기 위해 투자효율화에 나선다. 

이명영 SK하이닉스 부사장은 25일 열린 3분기 실적 컨퍼런스 콜에서 "급증하는 대외 불확실성으로 인해 수요 변동성이 확대, 수급불균형이 해소됐으니 이를 반영해 향후 분기별로 투자는 유연하게 하겠다"며 "D램은 공급부족을 해소하기 위한 공정전환, 캐파 증가가 동시에 이뤄져와지만 앞으로는 투자효율성 높이겠다"고 말했다. 

낸드플래시에 대해서는 "시장 변화에 맞춰 4분기 D램 출하는 한자릿수 중반, 낸드 30% 초반 증가를 계획하고 있다. 당초 목표했던 D램 20% 초반, 낸드 40% 중반 연간 출하량 증가는 달성이 가능할 것"이라고 자신했다.

D램에 대한 미세공정 기술개발도 더욱 속도를 내기로 했다. 

이 부사장은 "D램은 3분기 중 수율 개선이 이뤄진 1x나노 공정의 기술성숙도를 높이고, 상대적으로 수요가 높고 부가가치가 높은 고용량, 고성능 제품 개발에 주력하겠다"며 "1y나노 공정개발과 중국 우시 팹 확장 공사를 연내에 완료해 내년 상반기 양산에 차질이 없도록 하겠다"고 말했다.

이어 "낸드플래시 역시 72단 제품 비중을 계속 확대나가면서 고용량 모바일과 엔터프라이즈SSD 시장에서 당사의 입지를 강화하겠다"며 "낸드는 72단 제품 비중은 연말 50% 이상으로 확대, 3D 낸드 비중도 70% 중반까지 올리겠다. 내년 시장에 대비해 96단 제품 개발을 연내 완료할 계획으로 지난 10월 초 오픈한 M15 팹은 장비설치를 진행 중이고, 내년 상반기부터 생산에 기여할 수 있도록 준비하겠다"고 강조했다. 

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