[서울=뉴스핌] 이동현기자= 중국이 내년도 글로벌 낸드 플래시 및 D램 반도체 시장에서 각각 5%, 3%의 점유율을 기록할 것으로 전망됐다. 그동안 메모리 반도체 분야에서 존재감이 없었던 중국이 반도체 굴기를 통해 처음으로 가시적인 성과를 도출할 것으로 관측된다.

관찰자(觀察者) 등 중국 매체들에 따르면, 지난 9월 반도체 기업 칭화유니(淸華紫光) 산하의 창장메모리(YMTC 長江存儲)는 64단 3D 낸드플래시(Nand Flash) 양산에 들어갔다. 당초 연말로 예상됐던 양산 시기를 앞당기는데 성공했다. 이 제품엔 독자적인 낸드플래시 양산 기술인 엑스태킹(xtacking) 기술이 적용됐다.

[사진=셔터스톡]

향후 창장 메모리는 양산 규모를 확대시켜 웨이퍼 기준 생산량을 내년엔 6만 장까지 늘린다는 계획이다. 이 같은 규모는 전세계 낸드 플래시 반도체 시장의 5%에 해당된다

D램(DRAM)분야에선 지난 9월말 국유 반도체 기업인 허페이창신(合肥長鑫)이 1500억 위안을 투입해 10 나노미터(nm) 급 8기가비트(Gb) 용량의 메모리 반도체 칩 양산에 들어갔다. 이 제품은 '중국 1세대 디램 반도체'이다.

허페이창신은 오는 2020년까지 매월 반도체 생산능력을 현재의 3배 규모인 웨이퍼 3만 장까지 확대한다는 계획이다. 이는 전세계 D램 생산량의 3%에 이른다.

중국 매체들은 '낸드 플래시 5%, D램 3%의 점유율이 글로벌 반도체 시장을 장악한 굴지 반도체 업체에 비해 미미한 수치이다"면서도 "다만 한국, 미국,일본에 이어 4번째로 반도체 분야에서 성과를 낸 고무적인 상황이다"고 높이 평가했다.   

한편 중국은 연간 반도체 수입 규모가 3000억 달러에 이르는 세계 최대 반도체 수입국이다. 이중 메모리 반도체 수입량은 전체 반도체 수입 물량의 3분의 1에 달한다.  

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