[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = 삼성전자가 시스템반도체 투자 규모를 38조원 늘려 오는 2030년까지 총 171조원을 투자한다.

세계 최대 규모의 반도체 클러스터를 구축해 글로벌 반도체 공급기지로 위상을 강화하고 국내 소재·부품·장비 업체들과 협력을 강해해 종합 반도체 강국으로 거듭나겠다는 계획이다.

삼성전자는 13일 평택캠퍼스에서 열린 'K-반도체 벨트 전략 보고대회'에서 이같은 내용을 담은 시스템반도체 분야 추가 투자계획을 발표했다.

◆'시스템반도체 비전 2030' 투자 계획 171조원으로 확대

먼저 삼성전자는 지난 2019년 4월 '시스템반도체 비전 2030' 발표 당시 수립한 133조원의 투자계획에 38조원을 추가해 2030년까지 총 171조원을 투자한다. 이를 통해 첨단 파운드리 공정 연구개발과 생산라인 건설에 박차를 가한다.

정부는 지난 2019년 삼성전자 화성사업장에서 '시스템반도체 비전 선포식'을 열고 시스템반도체 육성을 통해 종합 반도체 강국으로 거듭나겠다는 계획을 밝혔다. 삼성전자는 당시 '시스템반도체 비전 2030'을 제시하며 133조원 투자계획을 발표했다.

'시스템반도체 비전 2030' 발표 후 삼성전자는 반도체 제조 기업과 소재·부품·장비 업체, 학계 등 우리나라 반도체 생태계 주요 구성원 간 협력으로 비전 달성을 위한 기반을 다져왔다.

최근 세계적으로 전례 없는 반도체 부족 현상을 겪고 있다. 이에 따른 각국 정부의 반도체 공급망 유치 경쟁이 치열한 상황이다. 이같은 상화오에서 삼성전자의 시스템반도체 투자 확대는 'K-반도체'의 위상을 한층 더 높이는 데 기여할 전망이다.

◆평택캠퍼스 3라인 2022년 하반기 완공..세계 최대 반도체 클러스터 구축

내년 하반기 완공될 평택 3라인의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기이다. 현존하는 최첨단 기술이 적용된 팹으로, EUV 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다. 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다.

평택캠퍼스는 세계 최대 규모의 반도체 클러스터로서 최첨단 제품을 양산하는 전초기지이자 글로벌 반도체 공급기지로서의 주도적 역할이 더욱 강화될 전망이다.

삼성전자는 앞으로 차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나가고 메모리와 시스템반도체를 융합한 'HBM-PIM', D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 'CXL D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에 박차를 가해 '초격차 세계 1위' 위상을 강화할 계획이다.

김기남 삼성전자 부회장은 이날 "한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다"며 "수성에 힘쓰기 보다 결코 따라올 수 없는 '초격차'를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장 서겠다"고 강조했다.

◆반도체 생태계 육성을 위한 상생협력 강화

국내 반도체 생태계의 발전을 위한 상생협력과 지원·투자도 확대한다.

삼성전자는 시스템반도체 생태계 육성을 위해 팹리스 대상 IP 호혜 제공, 시제품 생산 지원, 협력사 기술교육 등 다양한 상생 활동을 확대한다. 공급망 핵심인 소재·부품·장비 업체는 물론 우수 인재 육성을 위한 학계와의 협력도 강화할 예정이다.

특히 파운드리 사업 확장은 국내 팹리스 기업들의 성장 기회다. 삼성전자의 파운드리 사업 확대는 5G, AI, 자율주행 등 우리나라 미래 산업의 밑거름 역할을 할 것으로 기대된다.

김기남 부회장은 "지금 대한민국의 반도체 산업은 거대한 분수령 위에 서 있고 대격변을 겪는 지금이야 말로 장기적인 비전과 투자의 밑그림을 그려야 할 때"라며 "우리가 직면한 도전이 크지만 현재를 넘어 미래를 향해 담대히 나아가야 한다"고 말했다. 

syu@newspim.com