纽斯频通讯社首尔9月2日电 随着中国长江存储（YMTC）加快进入企业级固态硬盘（SSD）市场，韩国三星电子正通过推出400层以上第十代V-NAND（V10）等下一代存储技术，提升AI存储领域竞争力。

三星电子2日表示，V10 BV-NAND采用新的3D键合V-NAND架构，存储单元堆叠层数超过400层。与上一代V9相比，其比特密度提高约58%，输入输出（I/O）速度达到4.8Gbps以上，较上一代提高33%以上，功耗降低25%以上。

三星电子称，V10的高存储密度可支持128TB超大容量SSD，其超过4.8Gbps的I/O性能可用于支持下一代PCIe Gen7 SSD。

公司还表示，V10采用低功耗电路设计、e-PIN结构以及相关字线控制技术，并在高速I/O运行中应用PI-LTT等技术，使整体功耗较上一代降低25%以上。公司认为，这类技术有望改善大容量SSD以及AI数据中心的系统级能源效率。

在三星电子推进下一代NAND技术的同时，YMTC也在扩大企业级SSD业务。YMTC采用自主的Xtacking技术发展NAND产品，并推出面向AI服务器和云计算市场的PCIe Gen5企业级SSD。随着AI服务器和数据中心需求增长，企业级SSD市场的竞争正在从存储容量向性能、功耗和接口技术等方面延伸。

业内认为，随着AI基础设施建设扩大，NAND闪存及企业级SSD的应用范围正在扩大。三星电子通过400层以上V-NAND以及面向PCIe Gen7的技术布局，意在进一步提高下一代AI存储产品的技术门槛；与此同时，YMTC等中国厂商扩大高性能NAND及企业级SSD业务，也将加剧全球存储市场竞争。（完）

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社