纽斯频通讯社首尔9月22日电 中国存储芯片企业长鑫存储（CXMT）近日宣布，第五代DRAM技术平台"G5"进入量产阶段，并发布两款采用该平台的24Gb LPDDR5X产品。

据业界消息，长鑫存储20日在安徽合肥举行的"2026世界制造业大会"上正式宣布G5平台进入量产。

长鑫存储表示，G5平台采用四重图形化技术，提高存储单元排列密度，每片晶圆可生产的芯片数量较上一代第四代工艺至少增加50%。

按照长鑫存储的说法，如果此前一片晶圆能够生产100颗芯片，采用G5工艺后可以生产150颗以上。由于晶圆加工成本基本与晶圆数量相关，在其他条件相同的情况下，提高单片晶圆的芯片产出量有助于降低单颗芯片的制造成本。

长鑫存储此次公布的两款24Gb LPDDR5X产品均采用G5平台。公司表示，相关产品已进入大规模生产阶段。

不过，长鑫存储目前尚未公布G5平台的具体良率和实际制造成本。业内指出，单片晶圆芯片数量增加并不意味着制造成本会同比例下降。实际成本竞争力还取决于良率以及工艺成本等因素。四重图形化技术增加工艺步骤，也可能带来额外成本。

业内认为，随着中国智能手机企业扩大采用国产存储芯片，长鑫存储生产效率的提升能否进一步转化为实际价格竞争力值得关注。如果成本优势形成，三星电子和SK海力士在移动DRAM市场面临的价格压力可能增加。

市场数据显示，移动DRAM价格近期持续上涨。据TrendForce统计，今年第二季度LPDDR5X平均销售价格较第一季度上涨78%至83%。由于三星电子、SK海力士等企业增加HBM和服务器DRAM生产，移动DRAM供应受到一定影响。预计第三季度移动DRAM价格将较第二季度上涨8%至13%。

目前，长鑫存储已经向中国智能手机企业供应LPDDR产品，G5平台此次也用于24Gb LPDDR5X产品量产。如果G5量产进一步降低实际生产成本，中国智能手机企业采用长鑫存储产品的比例可能提高，并可能在价格谈判中增加对供应商的选择。

从中长期看，如果长鑫存储依托中国市场进一步提高产量和良率，并扩大PC用DDR等产品以及海外中低端市场供应，相关竞争可能从移动DRAM进一步扩展至通用DRAM市场。

业内表示，若长鑫存储能够在稳定良率的同时，将晶圆产量增加转化为实际成本下降，未来可能从移动DRAM开始，在PC用DDR等通用DRAM领域对韩国存储芯片企业形成价格压力。（完）

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社