纽斯频通讯社首尔10月13日电 韩国三星电子和SK海力士将与全球半导体设备制造商应用材料（Applied Materials）合作，开展下一代半导体技术研发，重点推进高带宽内存（HBM）、先进制造工艺及封装技术的研发与商业化。

应用材料13日宣布，该公司于当地时间12日在美国加利福尼亚州桑尼维尔市正式公布总投资额达50亿美元的EPIC中心（设备与工艺创新及商业化中心）。该中心将用于半导体材料、制造设备和工艺技术的联合研发。

EPIC中心建筑面积约5.57万平方米，配备面积约1.62万平方米的先进洁净室。相关投资将根据客户项目的推进情况分阶段落实。

三星电子和SK海力士将与台积电、英特尔、美光科技共同成为该中心的创始合作伙伴。博通、爱德万测试、铠侠等半导体及设备企业以及斯坦福大学、加州大学伯克利分校等研究机构也将参与合作。

根据合作安排，三星电子和SK海力士将分别派遣工程师前往当地，与应用材料的研究团队共同开发下一代技术。合作将在确保技术保密的环境下开展，并根据各企业自身的技术路线图推进。

三星电子将把合作范围拓展至存储芯片、先进逻辑芯片和先进封装等领域，重点研发下一代微细制程所需的新材料，以及图形化、刻蚀和沉积技术，并从研发初期着手优化工艺，以兼顾后续量产需求。

SK海力士将重点推进HBM、动态随机存取存储器（DRAM）和闪存（NAND）等下一代存储技术研发，并与应用材料共同研究新型半导体材料、工艺集成和三维（3D）先进封装技术，以提升下一代HBM的性能和生产效率。

应用材料表示，EPIC中心将材料研究、设备开发和工艺验证整合到同一设施内同步开展。半导体制造商从研发初期参与，有助于减少量产阶段可能出现的问题，并缩短实现稳定良率所需的时间。

三星电子和SK海力士计划通过此次合作，提前验证下一代半导体设备与工艺技术，加快相关技术的研发和应用，以应对人工智能存储器市场日益激烈的技术竞争。（完）

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社