[서울=뉴스핌] 김정인 기자 = 이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장이 차세대 패키징 기술로 고대역폭메모리(HBM) 1등 리더십을 이어갈 것이라는 자신감을 드러냈다.

이 부사장은 5일 SK하이닉스 뉴스룸에 공개된 인터뷰에서 "표준 규격에 따라 제품 두께는 유지하면서도 성능과 용량을 높이기 위한 칩 고단 적층의 방편으로 최근 하이브리드 본딩 등 차세대 패키징 기술이 주목받는다"며 "위아래 칩간 간격이 좁아져 생기는 발열 문제는 여전히 해결해야 할 과제이지만, 점점 더 다양해지는 고객의 성능 요구를 충족시킬 솔루션으로 기대를 모으고 있다"고 말했다.

MR-MUF 기술 로드맵을 설명하는 이규제 SK하이닉스 PKG제품개발 담당 부사장. [사진=SK하이닉스]

이어 "SK하이닉스도 방열 성능이 우수한 기존 어드밴스드 MR-MUF를 지속 고도화하면서 새로운 기술들을 확보해 나갈 계획"이라고 강조했다.

SK하이닉스는 2023년에 4세대 12단 HBM3와 5세대 HBM3E 개발에 연이어 성공하며 HBM 시장을 주도하고 있다. 이 부사장은 HBM 성공의 1등 공신으로 MR-MUF 기술을 한 번 더 고도화한 '어드밴스드(Advanced) MR-MUF'를 꼽았다.

이 부사장은 "12단 HBM3부터는 기존보다 칩의 적층을 늘렸기 때문에, 방열 성능을 더욱 강화해야 했다. 특히 기존 MR-MUF 방식으로는 12단 HBM3의 더 얇아진 칩들이 휘어지는 현상 등을 다루기 쉽지 않았다"고 전했다. 이어 "이러한 한계를 극복하기 위해 회사는 기존의 MR-MUF 기술을 개선한 어드밴스드 MR-MUF 기술을 개발했다"며 "이를 통해 지난해 세계 최초로 12단 HBM3 개발 및 양산에 성공했으며, 이어 올해 3월 세계 최고 성능의 HBM3E를 양산하게 됐다"고 했다.

해당 기술은 하반기부터 인공지능(AI) 빅테크 기업들에 공급될 12단 HBM3E에도 적용되고 있으며, 이후 활용 범위가 더 넓어질 것이라는게 회사 측 설명이다.

kji01@newspim.com