2027년 5월 준공 목표...HBM 생산 거점 활용
[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = 용인 반도체 클러스터에 건설되는 SK하이닉스 1기 팹이 본격 착공에 들어갔다.
25일 SK하이닉스에 따르면 지난 21일 용인시는 용인 반도체 클러스터의 건축 허가를 승인했다.
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| SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 1기 팹 건설 현장 [사진=SK하이닉스] |
용인시 처인구 원삼면에 조성되는 용인 반도체 클러스터는 총 415만㎡(약 126만평) 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만평, 소부장 업체 협력화단지 14만평, 인프라 부지 12만평으로 구성된다.
이곳에 SK하이닉스는 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이며, 첫 번째 팹은 오는 2027년 5월 준공 목표로 건설해 나갈 예정이다.
SK하이닉스 용인캠퍼스는 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로 건설 예정이다. 급증하는 인공지능(AI) 메모리 반도체 수요에 적기 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도한다는 계획이다.
이와 더불어, 클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 대한민국 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정이다.
syu@newspim.com
