纽斯频通讯社首尔8月5日电 韩国三星电子4日首次公开新一代人工智能(AI)存储技术——zHBM和zNAND-O,并发布面向AI时代的新一代存储技术路线图。三星电子计划凭借新型三维(3D)存储架构,进一步提升AI基础设施领域竞争力。

三星电子表示,公司于当地时间4日至6日在美国加利福尼亚州圣克拉拉举行的2026未来存储与存储器大会上首次向业界展示新一代3D存储架构zHBM和zNAND-O的模型(Mock-up)。
据介绍,zHBM采用全新的垂直堆叠设计,将存储器置于AI加速器上方,而非传统的并列布局,从而缩短存储器与处理器之间的数据传输距离,提高带宽利用率和能效。
三星电子表示,基于zHBM的新一代接口系统性能最高可达到HBM5的8倍,能效最高提升3倍,热阻降低一半以上,有助于提高高性能AI系统运行稳定性。同时,通过在存储器与AI加速器之间的中间层集成客户定制化知识产权(IP),可进一步提升存储容量并优化系统性能。
在NAND闪存领域,三星电子同步发布了新一代高性能闪存解决方案zNAND-O。该产品采用硅通孔(TSV)技术,可实现4层或8层堆叠,面向端侧人工智能(On-device AI)应用,具备更高的数据处理能力和更快的响应速度。
此外,三星电子还首次展示了采用400层以上超高堆叠结构的第十代"V10 BV-NAND"。该产品采用晶圆键合(Wafer Bonding)和三层堆叠(3-Stack)技术,存储密度较上一代产品V9提升约58%,读取、写入性能及输入输出(I/O)速度均得到提升。
展会期间,三星电子还展示了HBM4E、HBM5模型、LPDDR5X-PIM以及企业级固态硬盘PM1763、BM1773等面向AI数据中心的存储产品。其中,HBM5采用新型散热技术HPB(Heat Path Block),进一步提升了产品带宽和容量。(完)
韩国纽斯频(NEWSPIM·뉴스핌)通讯社












