SK하이닉스, 이천·청주서 만든 웨이퍼 美서 후공정…HBM '한미 분업'

기사입력 : 2026년08월28일 14:00

최종수정 : 2026년08월28일 14:00

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SK하이닉스가 28일 한미 분업 HBM 생산체계를 구축했다.
한국서 D램 웨이퍼를 만들고 미국 인디애나서 패키징한다.
2029년 HBM4E 양산으로 한미 통합 생산을 본격화했다.

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인디애나서 2029년 3분기 HBM4E 양산…연 수십만장 웨이퍼 처리
韓서 최첨단 D램 생산해 美서 패키징·테스트…현지 고객에 공급
이천·청주 이어 용인·서남권 생산능력 확대…국내 전공정 투자 지속
청주 P&T7 등 국내 패키징도 증설…2030년 美 핵심 HBM 거점 구축

[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = SK하이닉스가 국내에서 만든 최첨단 D램 웨이퍼를 미국에서 고대역폭메모리(HBM)로 완성하는 '한미 분업'에 나선다. 이천·청주에 이어 용인과 서남권까지 국내 메모리 생산기반을 넓히는 한편, 미국 인디애나에는 첨단 패키징과 테스트를 담당할 새로운 생산거점을 구축한다.

한국과 미국에서 동시에 생산능력을 늘려 급증하는 HBM 수요에 대응하는 전략이다. 오는 2029년 인디애나에서 HBM4E 양산이 시작되면 국내에서 생산한 D램 웨이퍼를 미국에서 HBM으로 완성해 현지 고객에게 공급하는 '한미 생산체계'가 본격 가동된다.

27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트 라피엣에서 열린 SK하이닉스 AI 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지 기공식 [사진=SK하이닉스]

◆ 이천·청주 HBM 패키징 美로 확장…인디애나 후공정 거점

28일 SK하이닉스에 따르면 현재 HBM 생산은 국내 이천과 청주를 중심으로 이뤄지고 있다. 이천에서는 D램 생산과 함께 HBM 패키징을 진행하고 있으며, 청주도 HBM용 D램과 첨단 패키징 생산거점으로 역할을 확대하고 있다.

특히 청주에는 HBM 등 AI 메모리의 첨단 패키징을 담당할 P&T7이 건설되고 있다. SK하이닉스는 P&T7에 약 20조원을 투자해 웨이퍼레벨패키징(WLP)과 웨이퍼 테스트(WT) 생산능력을 추가로 확보할 계획이다.

인디애나 공장은 이 같은 국내 HBM 생산체계를 미국으로 확장하는 새로운 후공정 거점이다. D램 웨이퍼를 직접 생산하는 전공정 팹이 아니라 한국에서 생산한 최첨단 D램 웨이퍼를 들여와 첨단 패키징과 테스트를 거친 뒤 미국 고객에게 공급한다.

◆ 연 수십만장 웨이퍼 처리…美 HBM 생산능력 본격 확대

인디애나가 맡을 생산물량도 상당할 전망이다. 곽노정 SK하이닉스 사장은 27일(현지시간) 열린 착공식에서 인디애나 공장이 본격 가동되면 연간 수십만장의 웨이퍼를 처리하게 될 것이라고 밝혔다. 구체적인 생산능력은 공개하지 않았지만 미국에 상당한 규모의 HBM 후공정 생산능력이 새롭게 구축되는 셈이다.

업계에서는 현재 SK하이닉스의 전체 D램 웨이퍼 생산능력을 월 50만~55만장 수준으로 추산하고 있다. 연간으로 환산하면 600만장을 웃도는 규모다. 이 가운데 HBM에 투입되는 웨이퍼 생산능력은 지난해 말 기준 월 16만장 수준으로 HSBC는 추산했다. 이를 단순 연환산하면 약 192만장에 달한다.

인디애나의 정확한 생산능력이 공개되지 않아 기존 HBM 생산능력과 직접 비교하기는 어렵다. 다만 인디애나가 가동되면 현재 이천과 청주에 집중된 HBM 패키징 생산능력이 미국으로 확대되면서 국내와 미국에 HBM 생산거점을 동시에 확보할 수 있게 된다.

◆ 韓은 용인·서남권으로 확장…美는 차세대 HBM·R&D 거점

국내 생산기반도 추가로 확대된다. 기존 이천·청주에 이어 용인 반도체 클러스터가 차세대 메모리 생산을 위한 신규 거점으로 가세한다. 첫 번째 팹인 Y1은 내년 2월 첫 클린룸 가동을 목표로 HBM을 비롯한 차세대 D램 생산을 준비하고 있으며, Y2도 2029년 6월 첫 클린룸 가동을 목표로 건설이 추진되고 있다. 장기적으로는 서남권에 약 400조원을 투자해 추가 메모리 생산기반을 구축하는 방안도 추진한다.

국내 생산거점 확대와 함께 인디애나에는 연구개발(R&D) 기능도 구축된다. 인디애나 공장에는 차세대 HBM 패키징 기술을 개발하고 시제품 제작과 성능 검증 등을 진행할 첨단 패키징 R&D 테스트베드가 들어설 예정이다. 미국 고객사와 가까운 곳에서 차세대 제품을 개발하고 생산까지 연결하는 거점을 구축한다는 구상이다.

곽노정 SK하이닉스 CEO가 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣 퍼듀대학교에서 열린 기자간담회에서 사업 전략 및 투자 비전을 설명하고 있다. [사진=SK하이닉스]

인디애나에서 처음 양산할 제품도 차세대 HBM4E다. SK하이닉스는 2029년 3분기 인디애나에서 HBM4E 대량 양산을 시작할 계획이다. 인디애나는 가동 초기부터 HBM4E를 생산하며 차세대 HBM의 미국 생산거점 역할을 맡게 된다.

인디애나는 단순한 해외 생산기지를 넘어 SK하이닉스의 차세대 HBM 개발과 현지 공급을 연결하는 거점으로 역할을 확대할 전망이다.

곽 사장도 인디애나를 향후 미국 HBM 생산의 핵심 거점으로 제시했다. 그는 "2030년이면 인디애나는 미국의 핵심 HBM 생산기지가 될 것"이라며 "한국에서 생산된 첨단 HBM 웨이퍼가 이곳으로 와 첨단 패키징과 테스트를 거친 뒤 미국 고객들에게 공급될 것"이라고 말했다. 이어 "완전히 통합된 한미 생산 시스템이 가동될 것"이라고 강조했다.

syu@newspim.com

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