[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = 중국 장강메모리테크놀로지(YMTC)가 기업용 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 앞세워 인공지능(AI) 스토리지 시장까지 추격하자 삼성전자가 기술 경쟁의 수준을 한 단계 끌어올리고 있다.

400단 이상 10세대 V낸드(V10)를 앞세우는 동시에 현재 기업용 SSD 시장의 주력인 PCIe Gen5를 넘어 향후 Gen7 SSD까지 대응해 차세대 AI 스토리지 시장을 선점한다는 전략이다.

◆ 400단 넘어 Gen7까지…AI 스토리지 선점 나선 삼성

2일 삼성전자에 따르면 10세대 V낸드(V10 BV-NAND)는 3D 본딩 기술을 기반으로 메모리 셀을 400단 이상 쌓은 초고층 구조를 구현했다. 이전 세대보다 비트 밀도(Bit Density)를 58% 이상 높이면서 입출력 속도는 4.8Gbps 이상으로 33% 이상 향상시켰다. 전력 소비는 오히려 25% 이상 줄였다.

삼성전자는 V10을 기반으로 128TB 초고용량 SSD를 구현하는 한편 차세대 PCIe Gen7 SSD까지 대응한다는 계획이다. 현재 기업용 SSD 시장의 주력은 PCIe Gen5인데, 이 보다 두 세대 앞선 기술이다. PCIe Gen5 기반으로 AI 서버와 클라우드 시장을 공략하고 있는 YMTC보다 한발 앞서 차세대 시장을 선점하려는 전략이다.

삼성전자가 V10에서 특히 강조하는 것도 AI 데이터센터다. AI 확산으로 처리·저장해야 할 데이터가 급증하면서 낸드 역시 단순 저장장치를 넘어 대용량 데이터를 빠르게 처리하면서 전력 소비까지 줄여야 하는 핵심 인프라로 역할이 확대되고 있어서다.

삼성전자는 이를 위해 V10에 새로운 적층·본딩 기술을 대거 적용했다. 400단 이상의 초고층 구조를 구현하기 위해 셀을 3개의 스택으로 나눠 제조한 뒤 수직으로 연결하는 '3-스택 HARC 머지' 기술을 개발했다.

셀과 주변회로를 각각 별도의 웨이퍼에서 만든 뒤 결합하는 웨이퍼 본딩 기술도 적용했다. 이를 통해 칩의 집적도와 성능을 높이면서 전력 효율까지 개선했다. 400단 이상으로 낸드를 쌓을 때 발생하는 전력 소비와 데이터 오류 문제도 새로운 제어 기술을 적용해 줄였다.

V10의 기술력은 글로벌 무대에서도 인정받았다. 삼성전자는 지난달 미국에서 열린 세계적인 메모리·스토리지 기술 행사 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에서 V10 BV-NAND로 '3D 낸드 혁신상(3D & NAND Innovation Award)'을 수상했다.

◆ Gen5까지 따라온 YMTC…차세대 낸드 경쟁 격화

삼성이 차세대 기술로 무게중심을 옮기는 사이 YMTC의 추격도 빨라지고 있다. YMTC는 자체 웨이퍼 본딩 기술인 '엑스태킹(Xtacking)'을 기반으로 낸드 적층 경쟁력을 높이는 동시에 기업용 SSD까지 사업 영역을 넓히고 있다.

특히 AI 서버와 클라우드 시장을 겨냥한 PCIe Gen5 기반 기업용 SSD를 내놓으며 한국 업체들이 주도해 온 고성능 낸드 시장을 파고들고 있다. 최근 기업공개(IPO)를 추진하며 조달 자금을 생산능력 확대와 차세대 기술 개발에 투입할 계획이어서 추격전은 더욱 거세질 전망이다.

삼성전자는 YMTC가 현재 세대의 고성능 SSD 시장으로 진입하는 사이 400단 이상 V낸드와 PCIe Gen7 등 차세대 기술로 경쟁의 기준을 다시 끌어올리는 모습이다.

V10 상품기획을 담당한 김병희 삼성전자 PL은 "이번 FMS 2026 수상은 AI 시대에 필요한 낸드의 방향성을 제시하고 V10의 기술적·상품적 가치를 인정받았다는 점에서 의미가 크다"며 "앞으로도 시장과 고객의 요구에 맞춰 V낸드 경쟁력을 높이고 차세대 AI 스토리지를 위한 새로운 가치를 제공해 나가겠다"고 말했다.

syu@newspim.com