[뉴스핌=김겨레 기자] 삼성전자가 8기가바이트 D램을 본격 공급한다.

삼성전자는 '8GB(기가바이트) HBM2(고대역폭 메모리·High Bandwidth Memory) D램'을 슈퍼컴퓨터(HPC)를 비롯한 네트워크, 그래픽카드 시장까지 공급한다고 18일 밝혔다.

이번 신제품은 기존 그래픽 D램(8Gb GDDR5, 8Gbps)보다 8배 빠른 초당 256GB 속도로 데이터를 전송할 수 있다. 20GB 용량의 UHD급 영화 13편을 1초에 전송하는 속도다.

핵심기술은 실리콘 관통전극(TSV)이다. 삼성전자는 1개의 칩 위에 20나노 공정을 기반으로 한 8Gb(기가비트) HBM2 D램 칩 8개를 적층하고 각 칩에 5000개 이상의 미세한 구멍을 뚫어 총 4만개 이상의 'TSV 접합볼'로 수직 연결한 '초고집적 TSV 설계 기술'을 이 제품에 적용했다.

고속으로 동작할 땐 칩의 특정 영역이 제한 온도 이상으로 상승하지 않도록 하는 '발열 제어 기술'도 적용했다.

4GB HBM2 D램과 같은 크기지만 용량이 2배 늘고 시스템의 소비전력 효율도 약 2배 높였다.

한재수 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 부사장은 "업계에서 유일하게 양산 중인 8GB HBM2 D램 공급을 늘려 가상현실(VR) 등 차세대 최첨단 기기와 시스템을 개발하는 데도 도움이 될 것"이라며 "다양한 글로벌 고객들과 협력 체제를 강화하겠다"고 말했다.

삼성전자는 2015년 10월 128GB DDR4 D램 모듈을 양산하며 초고속 메모리 시장을 확대한 지 2개월 만에 4GB HBM2 D램 양산에 성공하며 차세대 그래픽 D램 시장을 선점했다.

삼성전자는 글로벌 IT 수요에 맞춰 HBM2 제품군 중 8GB HBM2 D램 양산 비중을 내년 상반기엔 50% 이상으로 늘릴 계획이다.

[뉴스핌 Newspim] 김겨레 기자 (re9709@newspim.com)