[서울=뉴스핌] 이지용 기자 = SK하이닉스가 현존 모바일용 D램 최고 속도인 9.6Gbps(초당 9.6기가비트)를 구현한 'LPDDR5T'의 상용화에 나섰다고 25일 밝혔다.

SK하이닉스는 최근 LPDDR5T를 미국 퀄컴 테크놀로지의 최신 스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼에 적용할 수 있다는 인증을 업계 최초로 받았다. LPDDR5T는 SK하이닉스가 최초 개발한 스마트폰과 태블릿 등 모바일용 제품에 들어가는 D램 규격의 버전으로, 8세대 LPDDR6가 업계에 공식 출시되기 전 7세대인 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품이다. LPDDR은 전력 소모량의 최소화를 목적으로 하고 있어 저전압 동작 특성을 갖고 있다.

SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 만든 16GB(기가바이트) 용량 패키지 제품을 고객에게 공급할 예정이다. 이 패키지의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.

LPDDR5T는 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준 범위인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동해 전력소모 측면에서도 강점을 보유한 제품이다.

SK하이닉스가 현존 모바일용 D램 최고 속도인 9.6Gbps를 구현한 'LPDDR5T'의 상용화에 나섰다. 사진은 SK하이닉스의 LPDDR5T. [사진=SK하이닉스]

SK하이닉스 기술진은 이 제품의 개발 과정에서 'HKMG(High-K Metal Gate)' 공정을 적용해 속도와 전력효율성에서 성능을 높였다. SK하이닉스는 이를 통해 다음 세대인 LPDDR6가 나오기 전까지 모바일용 D램 시장에서 LPDDR5T가 큰 비중을 차지할 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스는 "글로벌 유력 통신칩 기업인 퀄컴을 비롯한 주요 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 기업들로부터 성능 검증을 마친 만큼, 앞으로 LPDDR5T가 모바일 기기에 적용되는 범위는 급속히 넓어질 것"이라고 밝혔다.

HKMG는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전 용량을 개선한 차세대 공정이다.

앞서 SK하이닉스는 지난 1월 LPDDR5T 개발을 완료한 직후부터 협력 파트너 회사인 퀄컴과 호환성 검증 작업을 진행해 왔다. 이를 통해 양사는 LPDDR5T와 퀄컴의 스냅드래곤8 3세대 모바일 플랫폼이 결합된 스마트폰에서 두 제품 모두 우수한 성능을 발휘한다는 결과를 도출했다.

지아드 아즈가 퀄컴 수석 부사장은 "스냅드래곤8 3세대 제품은 생성형 인공지능(AI) 기반의 대규모 언어 모델(LLM)과 대규모 시각 모델(LVM)을 저전력에서 지연 없이 구동시킨다"고 말했다.

이어 "스냅드래곤 모바일 플랫폼과 SK하이닉스의 최고속 모바일 D램이 결합해 스마트폰 사용자들이 놀라운 AI 기능을 경험할 수 있게 될 것"이라고 말했다.

류성수 SK하이닉스 부사장은 "LPDDR5T가 초고성능 모바일 D램에 대한 글로벌 고객들의 니즈를 충족시킨다는 점을 확인해 기쁘다"고 말했다.

그러면서 "앞으로 스마트폰은 AI 기술이 구현되는 핵심 기기로 성장할 것으로 전망되며, 이를 위해서는 모바일용 D램을 통해 스마트폰 성능이 계속해서 향상돼야 한다"며 "퀄컴과의 협력을 지속 강화해 이 분야 기술력을 높여가도록 노력하겠다"고 덧붙였다.

leeiy5222@newspim.com