纽斯频通讯社首尔5月29日电 韩国三星电子29日宣布,已向全球客户出货新一代高带宽存储器(HBM)产品——第七代"HBM4E 12层"样品,进一步加快布局人工智能(AI)存储市场。

三星电子表示,公司将依托涵盖DRAM、晶圆代工、系统LSI和先进封装的一体化产业链体系,为客户提供从芯片设计到生产制造的"一站式解决方案",并进一步提升供货稳定性。
据了解,HBM4E 12层产品容量达到48GB,较上一代产品提升30%以上;单针脚数据传输速率最高可达16Gbps,较HBM4提升20%以上。单堆栈带宽达到每秒3.6TB,可满足大语言模型(LLM)及下一代人工智能系统对高性能计算的需求。
在技术方面,该产品采用基于1c(第六代10纳米级)工艺制造的DRAM以及自家代工4纳米逻辑芯片,通过先进制程进一步提升产品稳定性、良率和量产能力。
此外,新产品还采用低功耗设计和封装结构优化技术,能源效率较上一代产品提升16%,热阻性能改善14%以上,有助于降低高强度AI运算环境下的发热问题,并减少数据中心能耗。
三星电子表示,随着样品交付完成,公司将根据客户需求和开发进度推进后续量产供应。(完)
韩国纽斯频(NEWSPIM·뉴스핌)通讯社












