AI 핵심 요약
beta- IBK증권은 3일 티씨케이 분석을 재개했다.
- 낸드 고단화와 HBM 확대로 SiC 수요가 늘었다.
- 중국 고객 확대까지 더해 실적 성장세가 기대됐다.
!AI가 자동 생성한 요약으로 정확하지 않을 수 있어요.
[서울=뉴스핌] 이정아 기자 = 티씨케이가 낸드플래시 고단화에 따른 탄화규소(SiC) 포커스링 수요 증가로 두 번째 성장기에 진입했다는 분석이 나왔다.
고대역폭메모리(HBM)와 중국 반도체 시장으로 고객과 적용처가 확대되는 점도 추가 성장 동력으로 꼽힌다.
3일 IBK투자증권은 티씨케이에 대한 투자의견 '매수'를 제시하며 분석을 재개했다. 목표주가는 28만5000원으로 신규 제시했다. 지난 2일 종가 24만7000원 대비 상승 여력은 15.4%다.
티씨케이는 반도체 식각 공정에 사용되는 SiC 포커스링을 생산하는 글로벌 1위 업체다.
포커스링은 반도체 웨이퍼 주변에 배치돼 플라즈마가 균일하게 형성되도록 돕는 소모성 부품이다. 램리서치와 도쿄일렉트론(TEL), 세메스, 중국 AMEC 등을 주요 고객사로 두고 있다.
가장 큰 호재는 낸드 고단화다. 낸드는 데이터를 저장하는 셀을 수직으로 쌓아 용량을 늘리는데 적층 단수가 높아질수록 식각 공정 횟수와 난도가 함께 올라간다.
현재 낸드 시장은 8세대 236단에서 9세대 286단으로 전환하는 단계이며 장기적으로는 1000단 로드맵까지 제시됐다. 이에 따라 식각 과정에서 소모되는 SiC 포커스링 수요도 구조적으로 증가할 것으로 전망된다.
실제 수주도 빠르게 늘고 있다. SiC 수주잔고는 올해 1분기 819억원에서 2분기 1763억원으로 한 분기 만에 115% 급증했다. 전체 수주잔고도 2분기 1993억7000만원까지 늘었고 상반기 매출은 1903억원으로 전년 동기 대비 26% 증가했다.
HBM 고단화도 새로운 성장 동력으로 꼽혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 연결하는데 12단, 16단으로 적층 단수가 높아질수록 식각 공정의 난도가 상승한다.
이에 기존 석영 소재 포커스링이 고온과 플라즈마에 강한 SiC로 전환될 가능성이 있다. HBM4를 기점으로 티씨케이의 SiC 포커스링 시장이 낸드에서 HBM까지 확대될 수 있다는 분석이다.
이건재 IBK투자증권 연구원은 "티씨케이의 SiC 수요는 단순한 업황 회복을 넘어선 구조적 성장 동인을 확보한 것으로 분석된다"며 "HBM4를 기점으로 티씨케이의 전방 시장이 HBM까지 확장될 가능성이 논의되고 있어 시장 관심도가 높아지고 있다"고 설명했다.
중국 반도체 산업의 성장도 호재다. 기존 미국과 일본, 한국 기업 중심이었던 고객사가 AMEC를 시작으로 중국 기업까지 확대되고 있다. 중국 반도체 시장 성장이 티씨케이의 고객 기반 확대로 이어질 수 있다는 분석이다.
IBK투자증권은 올해 티씨케이의 매출을 4080억원으로 전년 대비 35.4% 증가하고 영업이익은 1220억원으로 45.9% 늘어날 것으로 전망했다. 내년에는 매출 4790억원, 영업이익 1600억원으로 각각 17.4%, 31.0% 증가할 것으로 추정했다.
이 연구원은 "중국 반도체 시장의 성장이 동사의 고객 기반 확장으로 이어져 중장기 실적 성장에 긍정적으로 기여할 것으로 판단된다"고 분석했다.
plum@newspim.com
