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[2018 반도체] 삼성, 초격차 전략으로 1등 유지

기사입력 : 2017년12월25일 10:00

최종수정 : 2017년12월25일 10:00

내년에도 올해처럼 호황 지속..AI 등 수요 발생
불확실성 상존, 중국 추격과 저가제품 등장 부담

[ 뉴스핌=황세준 기자 ] 내년에도 반도체 호황이 이어지는 가운데 삼성전자의 독주도 계속될 전망이다.

25일 관련업계에 따르면 삼성전자의 내년 영업이익 시장 컨센서스는 66조원 수준이다. 올해 추정치(55조원)보다 20% 상승하는 실적이다. 이중에서 반도체가 40조~45조원으로 이익의 60~68%를 벌어들일 전망이다.

올해와 같은 반도체 호황이 이어진다는 게 이같은 전망의 배경이다. 글로벌 IT 자문기관인 가트너는2018년 글로벌 반도체 시장이 올해 대비 4% 성장해 매출액이 총 4274억달러(한화 약 463조원)에 달할 것으로 예측했다.

삼성전자 평택 반도체공장 항공사진 <사진=삼성전자>

김동원 KB증권 연구원은 "적어도 내년 상반기까지 타이트한 메모리 수급은 지속될 것"이라며 "삼성전자의 글로벌 메모리 시장에서의 강력한 시장입지와 탁월한 원가절감 능력 등을 고려하면 내년에도 반도체 부문의 이익 창출력은 뛰어날 것"이라고 예측했다.

최근 반도체 시장은 최첨단 제품의 수요 확대로 인해 글로벌 IT 고객들이 물량 확보에 어려움을 호소하고 있다. 데이터센터, 빅데이터, 인공지능(AI), 자율주행차 등 미래 IT 시장에서도 첨단 반도체 수요는 지속적으로 늘어날 전망이다.

글로벌 시장조사기관 트렌드포스는 구글, 페이스북 등이 신규 데이터센터를 짓고 있어 타이트한 수급 상황이 이어질 것이라고 전망했다.

실제 국제 D램 시세는 최근 4달러 선을 유지하면서 다시 상승 조짐을 보이고 있다. 지난 20일 거래된 PC용 'DDR4 4기가비트(Gb)' D램 스팟가격은 평균 4.86달러로 전일 대비 0.25% 상승했다. 5달러 돌파는 시간 문제다.

D램 가격은 공급량 부족과 대용량 D램에 대한 수요증가로 작년부터 꾸준히 오르고 있다. 지난 10월 3주에는 처음으로 DDR4 8기가바이트(GB) 메모리의 국내 시장 소매가격이 10만원을 돌파했다.

다만, 11월 초 삼성전자의 D램 증설소식이 전해지면서 국내 D램 소매가격이 한주만에 21.4% 하락하는 일이 벌어지기도 했다.

삼성전자는 경기도 화성과 평택 반도체공장에 월간 웨이퍼 투입기준 6만장 규모의 D램 증설을 추진 중이다. 6만장은 삼성전자 현재 캐파의 6분의 1에 해당하는 규모다.

회사측은 "메모리 시장은 작년 말부터 서버와 모바일 수요가 지속 증가하고 있다"며 "화성공장 낸드플래시 생산캐파 일부를 D램으로 전환하고 평택공장 상층 일부 공간도 D램 증설에 활용할 계획"이라고 밝혔다.

송명섭 하이투자증권 연구원은 "투자자들 입장에서는 내년 삼성전자 반도체 제품별 투자 규모에 주목할 필요가 있다"고 언급했다.

삼성전자 반도체 공장 <사진=삼성전자>

삼성전자 안팎으로 2018년 이후 반도체 호황이 끝날 수도 있다는 경고의 메시지도 나오고 있다. 중국 반도체 굴기도 위협요소다. 칭화유니그룹 등 중국 반도체기업들은 내년 1분기부터 설비 투자에 연간 20조원을 이상 쏟아부을 계획이다.

칭화유니그룹은 이미 우한, 청도, 난징 등에 84조원 규모 제조라인을 구축한 상태로 내년부터 3D낸드플래시를 양산한다는 목표다. 푸젠진화반도체는 오는 2019년 D램 양산을 목표로 내년 상반기에 본격적으로 장비를 발주한다.

앞서 중국 정부는 지난 2015년 '중국제조 2025' 보고서를 통해 오는 2025년까지 165조원을 들여 자국산 반도체의 비율을 70%까지 끌어올리겠다고 밝혔다. 중국 정부는 지난 2014년엔 '국가 반도체 산업 투자펀드'에 약 21조원을 투입하는 등 전폭적으로 지원 중이다.

삼성전자의 반도체 기술력은 중국 업체들에 비해 5년가량 앞섰다는 평가를 받고 있으나 중국이 막강한 자본력을 앞세워 격차 좁히기에 나서고 있어 긴장을 늦출 수 없다.

반도체업계는 중국의 굴기로 인해 저가 제품이 시장에 난립할 경우 과열 경쟁으로 인한 치킨게임이 재현될 우려도 있다는 분석이다.

삼성전자는 기술 리더십 확보에 주력한다. 지난 18일부터 진행한 DS부문 전략회의에서는 내년 반도체 시장 '초격차 전략' 강화가 화두였던 것으로 전해졌다.

지난 20일에는 세계 최초 10나노급 2세대(1y나노) D램 양산 소식을 발표했다. 2016년 2월 1x나노(10나노급 1세대) D램을 양산한 지 21개월만에 반도체 미세공정 한계를 극복했다. 이를 위해 기존과는 다른 설계를 적용했다.

삼성전자는 고성능∙저전력∙고용량 D램 제품의 공정 효율화를 통해 제품 경쟁력을 강화한다. 평택 반도체 라인을 중심으로 성장성이 높은 서버용 고용량 스토리지 수요에 대응한다. 동시에 4세대 64단에 이어 5세대 제품 개발에 주력한다.

시스템 반도체 사업에서는 10나노 모바일 AP 수요 증가에 대응하기 위해 기존 라인의 생산능력을 높인다. 아울러 화성의 신규 라인 증설을 통해 공급량을 확대하고, 8나노 공정도 적기에 개발을 완료한다.

위탁생산의 경우 10나노 공정의 가상화폐 등으로 응용처 다변화를 추진하고 극자외선 노광장비를 적용한 7나노 이하 공정 개발에 집중한다. 

 

[뉴스핌 Newspim] 황세준 기자 (hsj@newspim.com)

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