[서울=뉴스핌] 서영욱 기자 = SK하이닉스가 총 1100조원 규모의 반도체 투자 청사진을 공개하면서도 서남권 클러스터를 비롯한 신규 투자 재원은 미국예탁증서(ADR) 발행 및 유상증자 자금과 별도로 조달하겠다는 방침을 밝혔다.

메모리 수요 급증에 대응해 용인·청주·서남권을 잇는 3대 생산 거점을 구축하되, 시장 상황과 재무 여건에 맞춰 장기간 단계적으로 투자에 나서겠다는 전략이다.

1일 SK하이닉스는 이 같은 내용을 담아 지난달 24일 제출한 증권신고서를 기재 정정했다.

◆"ADR 자금과 분리…단계적 투자 원칙"
SK하이닉스는 이번 미국 증권거래위원회(SEC)에 제출한 ADR 관련 증권신고서에서 서남권 반도체 클러스터를 포함한 총 1100조원 규모의 중장기 투자 전략을 공개했다.

SK하이닉스는 "이번에 발표한 중장기 투자 전략은 본건 신주 유상증자 및 ADR 발행을 통해 조달한 자금의 사용 목적에 영향을 미치지 않는다"고 명시했다.

현재 진행 중인 자본 조달과 신규 투자 계획은 별개라는 의미다.

SK하이닉스는 서남권 투자 재원에 대해 우선 영업활동을 통해 창출되는 현금흐름을 활용할 계획이라고 설명했다.

향후 시장 상황과 투자 여건에 따라 차입이나 추가 자본 조달 방안도 검토할 수 있지만 현재 확정된 내용은 없다고 밝혔다.

특히 "사업경쟁력 및 재무건전성에 기반한 투자 원칙 아래 글로벌 메모리 반도체 시장 상황을 고려해 투자 재원 조달 시점과 규모를 유연하게 조정할 계획"이라고 강조했다.

투자 집행 역시 일시에 이뤄지는 것이 아니라 장기간에 걸쳐 단계적으로 진행될 예정이라고 덧붙였다.

SK하이닉스가 AI 메모리 수요 확대에 대응하기 위해 대규모 생산능력 확충 계획을 제시하면서도 재무 건전성 훼손 우려를 최소화하는 데 주력한 것으로 보고 있다.

실제 서남권 클러스터는 부지 선정과 인프라 구축, 인허가 절차 등이 남아 있어 투자 시점과 규모가 시장 상황에 따라 탄력적으로 결정될 전망이다.

◆AI 수요 폭증에 생산능력 전면 확대
SK하이닉스는 이번 중장기 투자 전략의 배경으로 AI 확산에 따른 글로벌 메모리 수요 급증을 제시했다.

생성형 AI와 에이전틱 AI, 자율주행, 엣지 AI 기기 확산으로 D램과 고대역폭메모리(HBM), 낸드 전반의 수요가 빠르게 늘고 있지만 공급은 이를 따라가지 못하고 있다는 판단이다.

특히 HBM은 일반 D램보다 더 많은 웨이퍼와 생산 공간이 필요해 공급 부족 현상이 장기화될 가능성이 높다고 설명했다.

이에 따라 SK하이닉스는 용인·청주에 이어 서남권까지 생산 거점을 확대하는 총 1100조원 규모의 투자 계획을 마련했다.

우선 용인 반도체 클러스터는 기존 2045년까지 추진할 예정이던 2~4기 팹 건설 일정을 앞당겨 2033년까지 완료할 계획이다.

청주에는 약 100조원을 투입해 신규 낸드플래시 공장과 HBM 후공정용 첨단 패키징 시설을 확충한다.

가장 주목되는 부분은 약 400조원이 투입되는 서남권 반도체 클러스터다.

SK하이닉스는 용인과 청주만으로는 장기적인 AI 메모리 수요 대응에 한계가 있다고 보고 새로운 전공정 생산 거점 구축을 추진하기로 했다.

다만 구체적인 입지는 확정되지 않았으며 전력·용수·교통 인프라와 부지 확보 여건 등을 고려해 정부 및 지방자치단체와 협의를 거쳐 결정할 예정이다.

syu@newspim.com