[뉴스핌=김겨레 기자] 중국 산시성 시안의 변전소에서 대형 폭발사고가 발생해 인근의 삼성전자 반도체 공장 라인 일부가 피해를 입었다.

20일 삼성전자에 따르면 지난 18일 0시께 시안 남쪽 330kv급 변전소 폭발의 영향으로 3세대 V낸드 생산라인 일부가 자동으로 멈췄다.

반도체 칩 개발 현장 <출처=신화/뉴시스>

사고가 난 변전소는 삼성전자 시안 반도체 공장에 직접 전기를 공급하지는 않지만 삼성전자 공장이 포함되는 지역 전력망 내에 있다.

삼성전자 관계자는 "해당 변전소에서 바로 전력을 받는 것이 아니어서 일부만 중단됐다"며 "반도체 장비가 워낙 전력에 민감하다보니 순간적인 변화에도 자동으로 멈춘 것"이라고 말했다.

삼성전자는 현재 중단된 설비를 복구하는데 집중하고 있으며 해당 설비는 적정 조건에 맞춰 재부팅 하는데 3~4일이 걸린다. 

삼성전자는 최대 1만장, 최소 수천 장의 웨이퍼(반도체 재료가 되는 얇은 원판)가 피해를 입었을 것으로 보고 점검 중이다. 피해액은 수백억원 대로 추산하고 있다.  

삼성전자 시안공장은 3세대 V낸드 플래시를 생산하고 있다. 이 곳의 현재 월 생산 용량은 300mm 웨이퍼 투입 기준 10만장 수준이다. 이번 가동 중단으로 수급차질이나 시장에 미치는 영향은 크지 않을 것으로 알려졌다.

한편, 앞서 지난 2007년 삼성전자 경기도 기흥 낸드 플래시 반도체 공장에서 12시간 동안 전기가 끊기는 사고가 발생한 바 있다. 당시 기업 안팎에선 수천억 대의 피해를 예상했으나 삼성전자가 추산한 결과 약 200억 원이었던 것으로 나타났다.

[뉴스핌 Newspim] 김겨레 기자 (re9709@newspim.com)