纽斯频通讯社首尔8月3日电 韩国SK海力士成功研发业界首款238层4D NAND闪存芯片。

SK海力士3日发布上述消息称，公司已向客户发送238层512Gb TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存芯片样品，该芯片计划明年上半年进入量产阶段。

SK海力士补充道，公司于2020年12月成功研发176层NAND闪存芯片，本次时隔1年零7个月相关技术再取得突破。尤其是新产品不仅拥有业界最高层数，还是目前最小的NAND产品，因此具有非常重要的意义。

SK海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会（Flash Memory Summit，FMS）上公开新产品。负责NAND芯片研发的SK海力士副社长崔正达表示，通过以4D NAND技术为基础研发的238层NAND 闪存芯片，公司在成本、性能和品质方面确保了全球顶级竞争力。公司今后为突破技术瓶颈，将继续进行创新。

SK海力士2018年推出的96层NAND闪存成功超越传动3D方式。为研发4D架构芯片，公司采用了电荷捕获技术（CTF，Charge Trap Flash）和PUC（Peri Under Cell）技术。与3D方式相比，4D架构具有单元面积更小，生产效率更高的优势。

新产品生产效率提升34%，数据传输速度（每秒2.4Gb）提升50%，功耗减少21%。

另外，SK海力士计划优先为客户端固态硬盘（SSD）供应新产品，随后逐渐扩至智能手机和大容量服务器固态硬盘，并计划明年推出1Tb扩容版。

韩国纽斯频（NEWSPIM·뉴스핌）通讯社