[서울=뉴스핌] 이지용 기자 = "반도체가 거의 90% 였죠".

이재용 삼성전자 회장은 15일 오전 서울 강서구 서울김포비즈니스항공센터를 통해 귀국하며 네덜란드 순방 성과에 대한 취재진의 질문에 이 같이 답했다.

이 회장과 함께 귀국한 경계현 삼성전자 DS(반도체)부문장 사장은 이제 삼성이 하이 뉴메리컬어퍼처(High NA) EUV(극자외선)에 대한 기술적 우선권을 갖게 됐다"고 말했다. 또 "장기적으로 D램이나 로직에서 하이 NA EUV를 잘 쓸 수 있는 계기를 만들지 않았나 생각한다"고 전했다.

하이 NA EUV 장비는 ASML이 곧 출시하며 2나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1ｍ) 공정의 핵심 장비다.

이재용 삼성전자 회장은 15일 오전 서울 강서구 서울김포비즈니스항공센터를 통해 귀국하며 네덜란드 순방 성과에 대한 취재진의 질문에 "반도체가 거의 90% 였다"고 답했다. 사진은 이 회장이 지난 6월 서울 중구 신라호텔에서 열린 '2023 삼성호암상 시상식'에 참석하고 있는 모습. [사진=정일구 기자]

경 사장은 "이번 협약은 경기도 동탄에 공동 연구소를 짓고 거기서 하이 NA EUV를 들여와 ASML 엔지니어와 삼성 엔지니어들이 같이 기술 개발하는 것이 주 목적"이라며 "장비를 빨리 들여온다는 관점보다는 공동 연구를 통해 삼성이 하이 NA EUV를 더 잘 쓸 수 있는 협력 관계를 맺어가는 게 더 중요할 것"이라고 밝혔다.

이와 함께 경 사장은 "EUV가 가장 중요한 툴 중 하나이기 때문에 이를 통해 전체적인 반도체 공급망 입장에서 굉장히 튼튼한 우군을 확보했다"며 이번 네덜란드 방문 성과에 대해 평가했다.

앞서 이 회장은 지난 11일부터 윤석열 대통령의 네덜란드 순방 일정을 함께 소화했다. 지난 12일에는 윤 대통령, 최태원 SK그룹 회장 등과 함께 ASML 본사를 방문해 피터 베닝크 ASML 회장 등과 간담회를 진행했다.

이 자리에서 삼성전자가 ASML과 함께 1조원을 투자해 차세대 EUV 기반의 초미세 공정을 공동 개발하는 '차세대 반도체 제조기술 연구개발(R&D) 센터'를 한국에 짓기로 했다. ASML이 해외에 R&D 센터를 설립하는 것은 이번이 처음이다.

EUV 장비는 초미세 공정에 필수적인 만큼 국내에서 관련 기술이 개발되면 국내 반도체 기업들이 첨단 반도체 개발에 속도를 낼 수 있을 전망이다.

leeiy5222@newspim.com