1Q 시황에 대해 "나쁘지 않을 것"
[뉴스핌=유효정기자] 하이닉스반도체가 미세 공정 기술력을 확보하고 삼성전자와 기술 격차를 줄인다.
23일 권오철 하이닉스 사장은 서울 그랜드인터콘티넨탈에서 열린 '대·중소기업 동반성장을 위한 반도체펀드협약식'에 앞서 기자들과 만나 “30나노대 공정 D램 개발을 연내 완료할 것”이라며 “내년 1분기 양산에 돌입할 것”이라고 밝혔다.
하이닉스보다 한발 빨리 올해 3D나노급 D램 양산에 나섰던 삼성전자는 올 7월 30나노급 D램 양산에 돌입해 하반기 기준 30나노급 이하 D램 비중을 10% 선으로 확대하고 있다. 하이닉스의 경우 30나노급 D램 기술 확보에 어려움을 겪어왔으나 반년 만에 기술 격차를 줄일 수 있게 됐다.
권 사장은 또 현재의 D램 가격 하락에 대해 “생각보다 많이 떨어졌다”고 판단하며 “내년 상반기 저점을 확인하는 전기가 있길 바란다”고 말해 내년 초까지는 악화된 시황이 지속될 것으로 예견했다.
하지만 최악의 국면으로 접어들지는 않을 것으로 예상했다.
그는 “해외 경쟁사들이 제조원가 이하로 D램을 생산하고 있어 내년 1분기에는 가격이 큰 폭으로 하락하지는 않을 것”이라며 “지금 상태가 이어지면 내년 1분기 실적도 나쁘지는 않을 것”이라고 내다봤다.
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[뉴스핌 Newspim]유효정 기자 (hjyoo@newspim.com )