화학물질관리법 인·허가 소요기간 50% 이상 단축
반도체 제조시설 전력인프라 구축시 최대 50% 지원
[세종=뉴스핌] 임은석 기자 = 오는 2030년까지 반도체 업계가 510조원 이상의 투자를 계획하고 있는 가운데 정부가 연구개발(R&D) 40~50%, 시설투자 10~20% 세액공제를 제공해 핵심기술 확보와 양산시설 확충 촉진에 나선다.
또한 8인치 파운드리 증설, 소재·부품·장비와 첨단 패키징 시설 투자 지원을 위해 1조원 이상의 반도체 등 설비투자 특별자금을 신설한다.
정부는 13일 삼성전자 평택캠퍼스에서 이같은 내용을 담은 'K-반도체 전략'을 발표했다. 우선 미국과 중국 등 주요국이 반도체 산업을 국가 전략산업으로 육성하는 상황에서 선도기술 선점, 투자 촉진을 위해 세재 인센티브를 확대한다.
반도체 R&D·시설투자 세액공제 강화 [자료=산업통상자원부] 2021.05.13 fedor01@newspim.com |
현재 신성장·원천기술과 관련된 R&D(대·중견기업 20~30%, 소기업 30~40%)와 시설투자(대기업 6%, 중견기업 8%, 소기업 15%)시에 각각 일반 R&D(대기업 2%, 중견기업 8%, 중소기업 25%)와 시설투자(대기업 4%, 중견기업 6%, 중소기업 13%) 대비 공제율 우대를 적용받고 있다.
앞으로는 3번째 단계인 핵심전략기술을 신설해 R&D 비용은 대·중견기업 30~40%, 중소기업 40~50%, 시설투자는 대기업 10%, 중견기업 12%, 중소기업 20%의 세액공제를 받게 된다.
아울러 8인치 기반의 파운드리 증설, 소부장과 첨단 패키징 기업 신규투자 촉진을 위해 금융 프로그램을 지원한다. 반도체 업계의 투자 프로젝트가 구체화되는 대로 총 1조원+α의 설비투자 특별자금을 신설해 반도체 설비투자를 지원한다. 기업이 대출할 때 금리우대 1.0%포인트(p) 감면을 제공하고 5년거치 15년 분할상환방식이다.
사업경쟁력 강화 지원자금 등의 지원규모를 최대한 확대하고 다양한 금융 프로그램도 적극 지원할 계획이다.
실리콘카바이드(SiC) 기반 차세대 차량용 전력 반도체 생산을 위해 수요대기업과 중소 제조기업의 수요연계 투자를 지원한다. 이를 위해 반도체성장펀드의 하위펀드인 인수합병(M&A) 펀드(총 500억원), 금융지원
프로그램, 사업재편 특례 등 가용 지원수단을 적극 활용할 예정이다.
중소 파운드리의 투자를 본격 추진할 수 있도록 사업재편 정책금융 특례를 제공한다. 사업경쟁력강화 지원자금은 산업은행에서 금리우대를 제공하고 등록면허세 50%를 감면해준다.
또한 반도체 설비 신속 구축을 위한 규제 합리화를 추진한다. 검사면제 기준을 6개월내 반송되는 고압가스 수입용기에서 2년내 반송되는 수입용기로 확대한다. 3가지로 제한된 방호벽 기준(KGS FU111)을 강도와 설치 편의성이 제고된 신기술도 활용할 수 있도록 한다.
신·증설 시설의 경우 온실가스 저감을 위한 최적가용 기법(BAT) 적용시 배출권을 100% 할당한다. 반도체 생산설비 신·증설 시 화학물질관리법 인·허가 소요기간을 75일에서 30일로 50% 이상 단축하는 패스트트랙을 도입한다.
다수 동종의 설비로 된 시설은 대표설비 검사 후 전체 설비에 대해 인·허가를 하고 신·증설이 빈번한 업종 특성을 감안, 신속한 설비 설치 지원을 위해 도급승인 대상 대표설비 선정기준 합리화를 검토한다.
전자파 다중차폐시설을 갖춘 반도체 제조시설에 전파응용설비 설치 시 준공신고만으로 즉시 운용을 허용하고 이미 허가 받은 사항과 동일한 형식·성능의 전파응용설비 교체에 대해 변경허가 면제를 추진한다.
이밖에도 평택, 용인 등에 위치한 반도체 Fab의 안정적인 가동을 위해 2040 수도정비기본계획에 필요한 용수물량 선제 반영하고 핵심전략기술 관련 반도체 제조시설이 위치한 산단 등의 전력 인프라 구축 시 최대 50%(국비 25%, 한전 25%) 지원을 추진한다.
fedor01@newspim.com