[세종=뉴스핌] 임은석 기자 = 반도체 공급망 안정화를 위해 첨단 메모리 제조시설 증설·고도화와 대규모 반도체제조공장(Fab)과 소부장 기업의 연계·집적이 추진된다. 국내에서 단기 기술추격이 어려운 극자외선(EUV)노광, 첨단 식각과 소재 분야에 대해서는 외투기업 유치 확대가 실시된다.

이를 위해 판교와 기흥~화성~평택~온양의 서쪽, 이천~청주의 동쪽이 용인에서 연결되는 알파벳 'K'자 모양의 'K-반도체 벨트'가 조성될 예정이다.

정부는 13일 삼성전자 평택캠퍼스에서 이같은 내용을 담은 'K-반도체 전략'을 발표했다. 우선 메모리 초격차 유지를 위해 평택·화성, 이천·청주의 메모리 생산기지를 최첨단 기술이 최초 적용·양산되는 기술 선도형 Fab(Mother Fab)으로 활용한다. 용인 클러스터에는 4개의 Fab을 구축해 반도체 국내생산 능력을 확대하고 차세대 메모리 생산기지로 육성한다.

첨단파운드리 분야 미세화 경쟁에서 앞서기 위해 평택·화성에 7나노 이하 첨단 파운드리 생산능력을 확대하고 올해 안에 5나노 양산을 추진한다.

부천·음성은 8인치 Fab 생산능력을 지속 확대하고 실리콘카바이드(SiC) 기반 차세대 전력 반도체 시설투자를 유치한다. SK하이닉스가 현재 대비 2배 수준의 8인치 파운드리 생산능력 확보를 검토 중인 만큼 청주에 8인치 중소 파운드리의 설비투자를 본격적으로 늘린다.

아울러 용인의 대규모 반도체 Fab과 소재·부품·장비 기업을 연계·집적화해 기술 혁신·자립형 반도체 생산허브를 조성한다. 용인 반도체 클러스터의 연내 착공을 위해 정부·지방자치단체의 인·허가, 기반시설 확보 등을 지원한다.

용인은 반도체 기업이 다수 입지한 경기 남부와 충청을 연결하는 지리적 요충지인 만큼 용인 반도체 Fab 인근에 국내외 소부장 기업을 입주시켜 24시간 협업을 통한 리드타임 단축과 소부장 공급안전성을 확보한다.

소부장 R&D 제품의 조기 상용화를 위해 세계 최초로 양산Fab과 연계한 반도체 테스트베드를 구축하고 특화단지 내에서 SK하이닉스와 50여개 공급기업이 핵심 소부장 품목을 공동개발하는 협력모델도 추진한다.

또한 글로벌 공급기업과 전략적 협업을 통해 첨단장비 연합기지 구축할 계획이다. 기존 반도체 생산기지 인근에 주요공정별 글로벌 기업의 연구개발(R&D)·생산 시설을 유치한다.

첨단 외투기업 유치를 위해 첨단산업 인정분야 현금지원 비율을 일반 30%보다 10% 높은 40%로 확대하고 EUV 장비의 원활한 수입을 위해 고압가스안전법상 중간검사를 합리화할 예정이다.

EUV 노광기 관련 트레이닝센터와 재제조(Remanufacturing)센터가 집적된 EUV 클러스터를 화성에 조성하기위해 ASML사의 트레이닝 센터를 유치했다. ASML사는 총 2400억원을 투자하고 300명을 채용할 예정이다.

용인·화성에는 원자레벨 식각 기술 R&D 센터와 함께 램 리서치(Lam Research)사의 생산능력 2배 확대를 위한 제조시설을 구축한다. 충남 천안에 실리콘웨이퍼, 포토 레지스트, 쿼츠, 특수가스 등 첨단 소재산업을 유치해 소재 복합단지를 조성할 계획이다.

이밖에도 첨단 패키징 생산기지 조성, 5대 차세대 기술투자 등을 통해 다양한 기능을 단일 칩으로 구현하기 위한 핵심 패키징 기술 선점에 나선다. 시스템반도체 설계지원센터, 인공지능(AI)반도체 혁신설계센터, 차세대반도체 복합단지 조성을 통해 판교를 한국형 팹리스 밸리로 조성할 계획이다.

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