[서울=뉴스핌] 심지혜 기자 = 삼성전자는 30일 2019년 4분기 컨퍼런스콜에서 "극자외선노광장비(EUV)의 경우 차세대 아키텍쳐인 GAA(Gate-All-Around) 핵심 기술 개발을 통해 3나노에서 세계 최초로 적용, 파운드리 경쟁사인 TSMC와 차별화 할 것"이라고 밝혔다.
이어 "올해는 EUV 생산성을 극대화한 5나노에서 고객 응용처를 다변화해 양산을 확대하고 4나노 설계를 완료, 선단공정 기술 리더십을 이어갈 계획"이라고 밝혔다.
삼성전자는 지난 2018년 처음으로 GAA 기술을 포함한 3나노 공정 로드맵을 공개했다. 지난해에는 고객사에 설계툴을 제공했으며 최근에는 '최초 개발'을 공식화했다.
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